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石墨烯薄膜制备技术历经十余年发展已日趋成熟,但在实际应用层面仍面临关键挑战。具体而言,在超级铜等应用场景中,成本控制是制约其规模化推广的关键因素;而在多数电子器件应用中,则对石墨烯的晶体质量、工艺兼容性等方面提出了更为严苛的要求。本报告将系统介绍我们在石墨烯薄膜制备技术方面取得的最新研究进展,重点聚焦于如何在保障材料性能的基础上推进其工业化路径。
另一方面,六方氮化硼(hBN)作为另一类重要的二维材料,不仅因其绝缘性、热稳定性和界面平整度在特定领域具有独特应用价值,同时也是高性能二维电子器件的重要组成部分。目前,基于铜基底的化学气相沉积法制备hBN已有较多实验室研究,但尚未实现工业级大面积的可靠制备。本报告也将探讨面向产业化的大面积hBN薄膜制备技术路径,并介绍我们在该方向上的探索,该技术还可进一步实现hBN薄膜中同位素组成的可控合成,为其功能化应用提供更多可能。
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