演讲嘉宾-于庆凯

于庆凯
中科院上海微系统与信息技术研究所研究员、上海超碳石墨烯产业技术有限公司首席科学家
● 中科院上海微系统与信息技术研究所研究员。
● 上海超碳石墨烯产业技术有限公司首席科学家。
● 美国德克萨斯州立大学副教授,终身教职(2011-2020)。
● 石墨烯薄膜产业化先驱,2010年于美国创立二维碳素科技有限公司,2011年于中国成立常州二维碳素科技有限公司(以下简称二维碳素)。二维碳素已经成长为石墨烯薄膜领域龙头企业,并于2015年9月新三板上市,股票代码833608。公司主营柔性加热薄膜,散热涂料。
● 二十年材料科学与工程科研工作。以材料生长和碳材料见长。多项美国国家项目(美国自然科学基金),多篇顶级期刊文章(Nature Materials, Nature Nanotechnology)。
● 2008年,第一个使用铜衬底气相沉积石墨烯,现已成为石墨烯薄膜生长的最重要方法。2011年,发明人工种子方法生长石墨烯单晶整列,美国专利。2016年,第一次实现可控石墨烯晶圆尺寸大单晶生长。

求学经历
西安交通大学     材料科学与工程 学士 1996 
中国原子能科学研究院 核工程     硕士 1999
美国密西根大学    核工程     硕士 2001
美国休斯顿大学    电子工程    博士 2006

研究方向
1.面向电子器件应用的二维基础材料的生长与应用。
2.以碳氢气体为前驱体的氢气与石墨烯粉体共生技术。       
3.高质量石墨烯粉体与六方氮化硼粉体的生长与应用。
4.熔盐催化体系研究。
演讲题目:化学气相沉积石墨烯和六方氮化硼晶圆
主题会场
开始时间
结束时间
内容摘要

  化学气相沉积(CVD)是低维材料生长的重要手段。其中,在过去的十年中,CVD在石墨烯薄膜的生长取得诸多进展。石墨烯在电子器件的应用需求大的石墨烯单晶,尤其是晶圆尺寸的石墨烯单晶。近几年来,中科院微系统所在CVD生长石墨烯大单晶取得诸多进展, 包括 1)1.5英寸石墨烯大单晶的可控生长;2)4英寸单晶石墨烯在锗衬底上的生长;3)6英寸单晶石墨烯在铜镍衬底上的生长等。由于二维材料在电子学领域的蓬勃发展,具有优异绝缘性,并与二维材料有较弱相互作用的衬底成为二维器件领域的迫切需求。而大尺寸的多层六方氮化硼正是满足这一需求的理想衬底。最近,我们生长出英寸级多层六方氮化硼,该氮化硼显示出优异的电子学特性,我么所使用的气-液-固生长方法也显示了用于其它二维材料生长的潜力。

关于主办方

石墨烯联盟(CGIA)是以提升产业技术创新能力为目标,以企业发展需求和共同利益为基础,致力于整合协调产业资源的产业创新合作组织。

联系我们
400-110-3655   

E-mail: [email protected]   [email protected](展览)

主讲申请:胡振鹏(13061368540)

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展商报名:苏 煜(13646399362)

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凯发_于庆凯

凯发

演讲嘉宾-于庆凯

于庆凯
中科院上海微系统与信息技术研究所研究员、上海超碳石墨烯产业技术有限公司首席科学家
● 中科院上海微系统与信息技术研究所研究员。
● 上海超碳石墨烯产业技术有限公司首席科学家。
● 美国德克萨斯州立大学副教授,终身教职(2011-2020)。
● 石墨烯薄膜产业化先驱,2010年于美国创立二维碳素科技有限公司,2011年于中国成立常州二维碳素科技有限公司(以下简称二维碳素)。二维碳素已经成长为石墨烯薄膜领域龙头企业,并于2015年9月新三板上市,股票代码833608。公司主营柔性加热薄膜,散热涂料。
● 二十年材料科学与工程科研工作。以材料生长和碳材料见长。多项美国国家项目(美国自然科学基金),多篇顶级期刊文章(Nature Materials, Nature Nanotechnology)。
● 2008年,第一个使用铜衬底气相沉积石墨烯,现已成为石墨烯薄膜生长的最重要方法。2011年,发明人工种子方法生长石墨烯单晶整列,美国专利。2016年,第一次实现可控石墨烯晶圆尺寸大单晶生长。

求学经历
西安交通大学     材料科学与工程 学士 1996 
中国原子能科学研究院 核工程     硕士 1999
美国密西根大学    核工程     硕士 2001
美国休斯顿大学    电子工程    博士 2006

研究方向
1.面向电子器件应用的二维基础材料的生长与应用。
2.以碳氢气体为前驱体的氢气与石墨烯粉体共生技术。       
3.高质量石墨烯粉体与六方氮化硼粉体的生长与应用。
4.熔盐催化体系研究。
演讲题目:化学气相沉积石墨烯和六方氮化硼晶圆
主题会场
开始时间
结束时间
内容摘要

  化学气相沉积(CVD)是低维材料生长的重要手段。其中,在过去的十年中,CVD在石墨烯薄膜的生长取得诸多进展。石墨烯在电子器件的应用需求大的石墨烯单晶,尤其是晶圆尺寸的石墨烯单晶。近几年来,中科院微系统所在CVD生长石墨烯大单晶取得诸多进展, 包括 1)1.5英寸石墨烯大单晶的可控生长;2)4英寸单晶石墨烯在锗衬底上的生长;3)6英寸单晶石墨烯在铜镍衬底上的生长等。由于二维材料在电子学领域的蓬勃发展,具有优异绝缘性,并与二维材料有较弱相互作用的衬底成为二维器件领域的迫切需求。而大尺寸的多层六方氮化硼正是满足这一需求的理想衬底。最近,我们生长出英寸级多层六方氮化硼,该氮化硼显示出优异的电子学特性,我么所使用的气-液-固生长方法也显示了用于其它二维材料生长的潜力。

关于主办方

石墨烯联盟(CGIA)是以提升产业技术创新能力为目标,以企业发展需求和共同利益为基础,致力于整合协调产业资源的产业创新合作组织。

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主讲申请:胡振鹏(13061368540)

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媒体合作:潘新博(18911844596)

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