任文才，男，汉族，中国科学院金属研究所研究员，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者。2005年于中国科学院金属研究所获博士学位，2009.5-2010.4在英国曼彻斯特大学物理系石墨烯发现者、2010年度诺贝尔物理学奖获得者AK Geim教授研究组进行合作研究。主要从事石墨烯等二维晶体材料研究，已在石墨烯的制备及光电、储能、复合材料等应用方面取得了系列创新成果。迄今在Nature、Nature Materials、Nature Nanotechnology、Nature Communications、PNAS、Advanced Materials、JACS等期刊发表SCI论文80多篇（其中2014年应Nature Nanotechnology主编邀请，为其纪念石墨烯发现十周年专辑撰写了题为“The global growth of graphene”的Commentary Article），共被SCI引用7000多次；在国内外学术会议做邀请报告30余次；申请国家发明专利/PCT专利40余项。曾获第十三届中国青年科技奖、中国科学院青年科学家奖、第九届辽宁青年科技奖（十大英才）、中科院卢嘉锡青年人才奖、中科院优秀博士学位论文奖、院长特别奖、国家自然科学二等奖等，并入选中青年科技创新领军人才。
本报告将重点介绍课题组近年来在石墨烯及其他二维材料化学气相沉积（CVD）法制备方面的研究进展。在石墨烯的CVD生长方面，我们提出了以Pt作为基体的常压CVD方法制备出毫米级石墨烯单晶，揭示了石墨烯边界依赖的生长机制，发展了一种有效去除石墨烯缺陷的方法，发明了电化学气体鼓泡无损转移方法，进而提出了卷对卷与电化学气体鼓泡相结合的无损转移方法实现了大面积石墨烯透明导电薄膜的低成本连续制备。以该方法制备的石墨烯作为透明电极，研制出了7英寸柔性触摸屏和4英寸柔性OLED发光器件。
在其他层状二维材料的CVD生长方面，我们基于二元相图分析和理论计算，提出了以Au作为生长基体的表面催化常压CVD方法，实现了高质量、均一单层的毫米级尺寸WS2单晶以及大面积薄膜的制备。研究发现，金上WS2的生长遵循自限制表面催化生长机制，且常压下制备的单层WS2与金基体结合较弱，可采用电化学气体鼓泡方法在不损坏金基体的情况下实现WS2的高质量转移。该方法制得的单层WS2具有很高的结晶质量，表现出与机械剥离法制备的材料相比拟的光学和电学性质。此外，我们还利用卷对卷与电化学气体鼓泡相结合的无损转移方法，在不破坏金基体的情况下实现了大面积柔性的单层、双层WS2薄膜、WS2/石墨烯叠层异质结构功能薄膜以及单层WS2薄膜晶体管阵列的制备。
除层状二维材料外，最近我们还提出了一种普适的以Cu/过渡族金属构成的双金属叠片为基体的CVD方法，制备出多种大尺寸、高质量的二维过渡族金属碳化物晶体（包括α-Mo2C, WC, TaC等）。如该方法制备的α-Mo2C晶体仅有几纳米厚，尺寸可达上百微米，并且具有很高的结晶质量以及化学和热稳定性，结构均一、无缺陷等。在低温下我们观察到这种超薄α-Mo2C晶体具有超导特性，其转变特性表现出二维的Berezinskii–Kosterlitz-Thouless相变特征、且随磁场方向呈现出各向异性的二维超导特征，是一种干净的二维超导体，且其超导特性强烈依赖材料的厚度，并在薄样品中观察到了金属-绝缘体相变行为。
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