现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，博士生导师，担任信息功能材料国家重点实验室副主任。
1985.7年毕业于武汉大学物理系。1990.7年在上海微系统所获博士学位并留所工作，从事高温超导材料基础研究。1993.3－1995.11在法国工业物理化学高等工程师学校（École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles de la Ville de Paris）从事博士后工作，研究无限层超导材料的设计和输运特性。1995.11－2005.5在上海微系统所从事电子制造可靠性研究。2005.6至今从事超导材料、器件与应用研究，主要研究方向：铁基等新型超导材料研究；超导量子干涉器件（SQUID）及其在微弱磁信号探测中的应用，包括生物磁信号探测与生物磁成像研究；SQUID极低场核磁共振与成像研究；SQUID大地电磁勘探测试研究等。曾获上海市首届自然科学牡丹奖，中科院自然科学二等奖（本人排名第二），第五届中国青年科技奖。在国内外学术刊物，学术会议上发表论文80余篇，被国内外同行引用次数近300次，其中超导领域单篇论文最多引用次数为130次。
绝缘的六角氮化硼（h-BN）衬底能够保留石墨烯出众的性能。垂直或横向取向的石墨烯/六角氮化硼异质结可被用来制备出新奇的电学器件。目前对制备出尺寸可控的高质量六角氮化硼（h-BN）、石墨烯和石墨烯/六角氮化硼的需求非常强烈，但其合成面临巨大的挑战。在本报告中，我将介绍利用化学气相沉积（CVD）方法直接在机械转移得到的六角氮化硼上生长石墨烯。利用新发现的气态表面催化剂，硅烷能够有效的与乙炔反应，恰恰使单晶石墨烯能在六角氮化硼上均匀生长。生长速度达到1微米/分钟，较先前文献报道的生长速度提高2~3个数量级。典型的晶畴尺寸达到10~20微米，该尺寸已达到实用器件的范围。同时，我会介绍利用优化过的铜-镍合金作为催化剂合成出晶畴尺寸超过百微米的单晶六角氮化硼的实验结果。另外，也针对在六角氮化硼上利用CVD方法合成的垂直和横向取向的石墨烯/六角氮化硼异质结的实验结果进行讨论。最后有关在单晶核上生长英寸级石墨烯晶片以及制备大尺寸A-B型堆叠双层石墨烯的研究进展也将做简要介绍。
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