演讲嘉宾-李雪松

李雪松
电子科技大学教授
  李雪松,电子科技大学教授,是用化学气相沉积甲烷在铜箔上合成大面积石墨烯薄膜的方法的发明者。清华大学机械工程专业学士、材料加工工程专业硕士,美国伦斯勒理工材料工程专业博士。先后在美国德州大学奥斯汀分校、IBM T.J.沃特森研究中心、耶鲁大学进行博士后和副研究员工作研究。与同事共同创立美国蓝石科技进行石墨烯商业化工作。2015年加入电子科技大学。研究领域为石墨烯的制备与应用。已发表包括Science, Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nature Photonics等顶级期刊SCI文章60余篇,SCI统计引用次数23000多次。研究工作得到英国BBC新闻、Nature、ScienceDaily、C&EN等多个媒体的广泛报道。他于2009发表在Science的《铜箔衬底上甲烷气相沉积法合成石墨烯》的工作被Science选为2009年度重大突破之一,被引用超过7000次。该发明已在石墨烯薄膜制备研究与生产中得到了广泛的应用。
演讲题目:化学气相沉积石墨烯薄膜的可控制备
主题会场
开始时间
结束时间
内容摘要

  本次报告我将介绍我们最近在化学气相沉积石墨烯薄膜可控制备领域三个方面的进展。首先是在高指数铜晶面外延生长大面积石墨烯单晶。以往的工作通过在Cu(111)表面生长定向石墨烯晶畴(OGDs),进而无缝拼接形成石墨烯单晶。我们发现OGDs可以生长在除了(111)晶面外的多种高指数晶面,其原因在于石墨烯成核时具有单一的最低能态。同时揭示了温度和基底中碳杂质是影响石墨烯晶畴定向生长的关键因素。在实践中,高指数表面更常见,而特定的表面则需要专门处理。这一发现使石墨烯单晶的制备更加容易。石墨烯制备的另一个挑战是层数和堆垛顺序控制。这里我将介绍两种不同的方法制备大面积全单层石墨烯以及一种新的石墨烯多层生长的机制。最后,将介绍一种面向工业化的大面积、低成本石墨烯薄膜的制备方法。通过该方法制备石墨烯薄膜的尺寸和生产效率可以是常规方法的数十倍。仅使用常规2英寸管径的实验室用的CVD系统,即可实现米级的石墨烯薄膜的制备。使用工业化设备则可获得更大面积、高产率、以及低成本的石墨烯薄膜制备。该方法还可以用于其它大面积2D薄膜如h-BN以及金属单晶箔的制备。

关于主办方

联系我们
400-110-3655   

E-mail: meeting@c-gia.cn   meeting01@c-gia.cn

参展电话:13646399362(苏老师)

主讲申请:19991951101(王老师)

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  李雪松,电子科技大学教授,是用化学气相沉积甲烷在铜箔上合成大面积石墨烯薄膜的方法的发明者。清华大学机械工程专业学士、材料加工工程专业硕士,美国伦斯勒理工材料工程专业博士。先后在美国德州大学奥斯汀分校、IBM T.J.沃特森研究中心、耶鲁大学进行博士后和副研究员工作研究。与同事共同创立美国蓝石科技进行石墨烯商业化工作。2015年加入电子科技大学。研究领域为石墨烯的制备与应用。已发表包括Science, Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nature Photonics等顶级期刊SCI文章60余篇,SCI统计引用次数23000多次。研究工作得到英国BBC新闻、Nature、ScienceDaily、C&EN等多个媒体的广泛报道。他于2009发表在Science的《铜箔衬底上甲烷气相沉积法合成石墨烯》的工作被Science选为2009年度重大突破之一,被引用超过7000次。该发明已在石墨烯薄膜制备研究与生产中得到了广泛的应用。
演讲题目:化学气相沉积石墨烯薄膜的可控制备
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  本次报告我将介绍我们最近在化学气相沉积石墨烯薄膜可控制备领域三个方面的进展。首先是在高指数铜晶面外延生长大面积石墨烯单晶。以往的工作通过在Cu(111)表面生长定向石墨烯晶畴(OGDs),进而无缝拼接形成石墨烯单晶。我们发现OGDs可以生长在除了(111)晶面外的多种高指数晶面,其原因在于石墨烯成核时具有单一的最低能态。同时揭示了温度和基底中碳杂质是影响石墨烯晶畴定向生长的关键因素。在实践中,高指数表面更常见,而特定的表面则需要专门处理。这一发现使石墨烯单晶的制备更加容易。石墨烯制备的另一个挑战是层数和堆垛顺序控制。这里我将介绍两种不同的方法制备大面积全单层石墨烯以及一种新的石墨烯多层生长的机制。最后,将介绍一种面向工业化的大面积、低成本石墨烯薄膜的制备方法。通过该方法制备石墨烯薄膜的尺寸和生产效率可以是常规方法的数十倍。仅使用常规2英寸管径的实验室用的CVD系统,即可实现米级的石墨烯薄膜的制备。使用工业化设备则可获得更大面积、高产率、以及低成本的石墨烯薄膜制备。该方法还可以用于其它大面积2D薄膜如h-BN以及金属单晶箔的制备。

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