演讲嘉宾-杨俊和

杨俊和
上海理工大学
  博士,教授,博士生导师。上海市材料创新研究院副院长、上海石墨烯产业技术功能型平台专家委员会主任,江苏石墨烯创新中心技术委员会主任,浙江、广东石墨烯创新中心专家委员会委员等。 
  美国材料学会会员,中国材料研究学会常务理事,中国能源学会常务理事,中国石墨烯创新战略联盟理事,中国电工学会碳石墨材料专业委员会委员,上海市新材料行业协会副会长,上海市聚氨酯行业协会副会长。
  先后获宝钢教育基金优秀教师奖、省政府青年科技奖、国务院特殊津贴、全国优秀教师。2005年被选拔为上海市首批领军人才。
  长期从事碳纳米管、石墨烯、多孔碳等新型炭材料、纳米材料的研究与人才培养工作。先后承担国家和省市项目20多项,其中主持国家自然科学基金项目7项。在国内外发表研究论文近200篇,其中被SCI收录论文160多篇,论文被引2800多次。申请发明专利70余项,其中PCT专利3项。石墨烯水性防腐涂料、石墨烯量子点复合可见光催化剂、高导热石墨烯薄膜、石墨烯电池材料等成果已经或正在产业化。先后获国家科技进步二等奖、上海市自然学科一等奖等科技成果奖励5项。
演讲题目:石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制备及其应用研究
主题会场
开始时间
结束时间
内容摘要

  聚酰亚胺薄膜(PI)经炭化、石墨化处理后制备高效散热薄膜广泛应用于手机、平板电脑、半导体器件等热管理,但PI薄膜存在柔性、热导率提升空间有限、成本高等缺点。本文报道采用直接混合、原位“分子焊接”、石墨烯改性/原位“分子焊接”技术制备石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜,并应用于散热、磁屏蔽等。
  1. 提出“分子焊接”的思路,利用PI对GO片层以共价键方式进行“焊接”,增大GO片层尺寸,同时填充薄膜之间的空隙,修复结构缺陷。仅添加1 wt%的PI,得到的g-GO/PI-1%薄膜的热导率为802.3±20.5 W·m-1·K-1,比g-GO提高了21.7 %。同时具有更好的柔韧性;另一方面,GO的片层尺寸对“分子焊接”也有着非常重要的影响,由于“焊接”后LGO的片层尺寸更大,因此,薄膜的热导率进一步提高31.3%。
  2. 利用原位聚合“分子焊接”的工艺可以有效改善由于PAA与GO之间的空间位阻效应,导致的PAA团聚问题,从而进一步提高导热薄膜的性能,再一次证明了“分子焊接”的有效性。利用原位聚合“分子焊接”添加7 wt%的PI也不会引起PAA在薄膜内部形成团聚,比直接混合法的添加量提高了7倍,大大提高了“分子焊接”的效率。I-g-GO/PI-7%薄膜热导率为1269.7±1.5 W·m-1·K-1 。薄膜也具有更好的散热效果,可以快速有效地将热点温度从50 ℃降低至39℃左右。
  3. 提出“改性石墨烯-分子焊接”的策略,利用ODA对GO片层进行-NH2改性,为原位聚合PAA进行“分子焊接”提供反应位点,从而实现对GO片层的共价键连接,增大片层尺寸,为声子的传递提供通道。原位聚合添加7 wt%时,I-g-mGO/PI-7%薄膜的热导率进一步提高为1352.9±5.7 W·m-1·K-1。同时薄膜也具有非常好的柔韧性。
  4. 利用“分子焊接”的思想制备了石墨烯/聚苯胺@聚酰亚胺复合薄膜。利用聚苯胺对石墨烯片层的“焊接”,可以在聚酰亚胺薄膜内形成有效的导电网络。提高复合薄膜的导电性,从而实现薄膜的电磁屏蔽。利用原位聚合制备的石墨烯/聚苯胺复合填料可以很好的分散在聚酰亚胺中,当添加40%石墨烯/聚苯胺时,薄膜的电导率为2.06 S cm-1 ,电磁屏蔽性能为21.3 dB,提高了24.6%

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400-110-3655   

E-mail: meeting@c-gia.cn   meeting01@c-gia.cn

参展电话:13646399362(苏老师)

主讲申请:19991951101(王老师)

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  博士,教授,博士生导师。上海市材料创新研究院副院长、上海石墨烯产业技术功能型平台专家委员会主任,江苏石墨烯创新中心技术委员会主任,浙江、广东石墨烯创新中心专家委员会委员等。 
  美国材料学会会员,中国材料研究学会常务理事,中国能源学会常务理事,中国石墨烯创新战略联盟理事,中国电工学会碳石墨材料专业委员会委员,上海市新材料行业协会副会长,上海市聚氨酯行业协会副会长。
  先后获宝钢教育基金优秀教师奖、省政府青年科技奖、国务院特殊津贴、全国优秀教师。2005年被选拔为上海市首批领军人才。
  长期从事碳纳米管、石墨烯、多孔碳等新型炭材料、纳米材料的研究与人才培养工作。先后承担国家和省市项目20多项,其中主持国家自然科学基金项目7项。在国内外发表研究论文近200篇,其中被SCI收录论文160多篇,论文被引2800多次。申请发明专利70余项,其中PCT专利3项。石墨烯水性防腐涂料、石墨烯量子点复合可见光催化剂、高导热石墨烯薄膜、石墨烯电池材料等成果已经或正在产业化。先后获国家科技进步二等奖、上海市自然学科一等奖等科技成果奖励5项。
演讲题目:石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制备及其应用研究
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  聚酰亚胺薄膜(PI)经炭化、石墨化处理后制备高效散热薄膜广泛应用于手机、平板电脑、半导体器件等热管理,但PI薄膜存在柔性、热导率提升空间有限、成本高等缺点。本文报道采用直接混合、原位“分子焊接”、石墨烯改性/原位“分子焊接”技术制备石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜,并应用于散热、磁屏蔽等。
  1. 提出“分子焊接”的思路,利用PI对GO片层以共价键方式进行“焊接”,增大GO片层尺寸,同时填充薄膜之间的空隙,修复结构缺陷。仅添加1 wt%的PI,得到的g-GO/PI-1%薄膜的热导率为802.3±20.5 W·m-1·K-1,比g-GO提高了21.7 %。同时具有更好的柔韧性;另一方面,GO的片层尺寸对“分子焊接”也有着非常重要的影响,由于“焊接”后LGO的片层尺寸更大,因此,薄膜的热导率进一步提高31.3%。
  2. 利用原位聚合“分子焊接”的工艺可以有效改善由于PAA与GO之间的空间位阻效应,导致的PAA团聚问题,从而进一步提高导热薄膜的性能,再一次证明了“分子焊接”的有效性。利用原位聚合“分子焊接”添加7 wt%的PI也不会引起PAA在薄膜内部形成团聚,比直接混合法的添加量提高了7倍,大大提高了“分子焊接”的效率。I-g-GO/PI-7%薄膜热导率为1269.7±1.5 W·m-1·K-1 。薄膜也具有更好的散热效果,可以快速有效地将热点温度从50 ℃降低至39℃左右。
  3. 提出“改性石墨烯-分子焊接”的策略,利用ODA对GO片层进行-NH2改性,为原位聚合PAA进行“分子焊接”提供反应位点,从而实现对GO片层的共价键连接,增大片层尺寸,为声子的传递提供通道。原位聚合添加7 wt%时,I-g-mGO/PI-7%薄膜的热导率进一步提高为1352.9±5.7 W·m-1·K-1。同时薄膜也具有非常好的柔韧性。
  4. 利用“分子焊接”的思想制备了石墨烯/聚苯胺@聚酰亚胺复合薄膜。利用聚苯胺对石墨烯片层的“焊接”,可以在聚酰亚胺薄膜内形成有效的导电网络。提高复合薄膜的导电性,从而实现薄膜的电磁屏蔽。利用原位聚合制备的石墨烯/聚苯胺复合填料可以很好的分散在聚酰亚胺中,当添加40%石墨烯/聚苯胺时,薄膜的电导率为2.06 S cm-1 ,电磁屏蔽性能为21.3 dB,提高了24.6%

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