演讲嘉宾-李雪松

李雪松
电子科技大学 教授
  李雪松,电子科技大学教授,是用化学气相沉积甲烷在铜箔上合成大面积石墨烯薄膜的方法的发明者。清华大学机械工程专业学士、材料加工工程专业硕士,美国伦斯勒理工材料工程专业博士。先后在美国德州大学奥斯汀分校、IBM T.J.沃特森研究中心、耶鲁大学进行博士后和副研究员工作研究。与同事共同创立美国蓝石科技进行石墨烯商业化工作。2015年加入电子科技大学。研究领域为石墨烯的制备与应用。已发表包括Science, Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nature Photonics等顶级期刊SCI文章60余篇,SCI统计引用次数23000多次。研究工作得到英国BBC新闻、Nature、ScienceDaily、C&EN等多个媒体的广泛报道。他于2009发表在Science的《铜箔衬底上甲烷气相沉积法合成石墨烯》的工作被Science选为2009年度重大突破之一,被引用超过7000次。该发明已在石墨烯薄膜制备研究与生产中得到了广泛的应用。
演讲题目:化学气相沉积石墨烯薄膜的可控制备
主题会场
开始时间
结束时间
内容摘要

  本次报告我将介绍我们最近在石墨烯晶畴定向生长和大面积全单层石墨烯(AF-MLG)生长方面的进展。在Cu衬底上生长的石墨烯多为多晶。生长单晶石墨烯的一种方法是生长定向的石墨烯晶畴(OGDs),最终完美拼合成没有晶界的单晶。这比从一个成核点生长单晶的效率高。以往的工作仅限于在Cu(111)表面的生长OGDs。我们发现OGDs可以生长在除了(111)晶面外的多种高指数晶面。在实践中,高指数表面更常见,而特定的表面则需要专门处理。这一发现使石墨烯单晶的制备更加容易。石墨烯制备的另一个挑战是层数和堆垛顺序控制。尽管由于极低的碳的溶解度使得在铜基底上较容易制备大面积的单层石墨烯,但一般情况下都会有一些附加层。通过对基底进行处理或调整CVD工艺可以有效地抑制附加层的生长,但同时也增加了成本。我们将附加层的生长分为两个阶段。第一阶段是在Cu表面被顶层完全覆盖之前,第二阶段是在其之后。通过调整气体参数可以抑制第一阶段的附加层生长。第二阶段则可能是由于铜箔两侧的非对称生长造成的。在常规的CVD过程中,通常将基底直接放到石英板或石英管壁上,这时铜箔两侧的前驱体浓度不均,从而会导致非对称生长。这在之前的工作中但往往被忽略。我们使用未经处理的铜箔和正常的CVD工艺,而只是将铜箔放在悬空的支架上,使其两侧前驱体浓度相等,避免了非对称生长,从而实现高达几十平方厘米的AF-MLG的制备。这不仅对大面积AF-MLG薄膜的工业化生产具有重要意义,而且对均匀少层石墨烯的合成具有指导意义。

关于主办方

石墨烯产业技术创新战略联盟(CGIA)是以提升产业技术创新能力为目标,以企业发展需求和共同利益为基础,致力于整合协调产业资源的产业创新合作组织。

联系我们
400-110-3655   
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E-mail: [email protected]   [email protected](展览)

主讲申请:鲁旻阳(18657108128)

媒体合作:王丽萍(19991951101)

参展报名:0532-68013267

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凯发_李雪松

凯发

演讲嘉宾-李雪松

李雪松
电子科技大学 教授
  李雪松,电子科技大学教授,是用化学气相沉积甲烷在铜箔上合成大面积石墨烯薄膜的方法的发明者。清华大学机械工程专业学士、材料加工工程专业硕士,美国伦斯勒理工材料工程专业博士。先后在美国德州大学奥斯汀分校、IBM T.J.沃特森研究中心、耶鲁大学进行博士后和副研究员工作研究。与同事共同创立美国蓝石科技进行石墨烯商业化工作。2015年加入电子科技大学。研究领域为石墨烯的制备与应用。已发表包括Science, Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nature Photonics等顶级期刊SCI文章60余篇,SCI统计引用次数23000多次。研究工作得到英国BBC新闻、Nature、ScienceDaily、C&EN等多个媒体的广泛报道。他于2009发表在Science的《铜箔衬底上甲烷气相沉积法合成石墨烯》的工作被Science选为2009年度重大突破之一,被引用超过7000次。该发明已在石墨烯薄膜制备研究与生产中得到了广泛的应用。
演讲题目:化学气相沉积石墨烯薄膜的可控制备
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内容摘要

  本次报告我将介绍我们最近在石墨烯晶畴定向生长和大面积全单层石墨烯(AF-MLG)生长方面的进展。在Cu衬底上生长的石墨烯多为多晶。生长单晶石墨烯的一种方法是生长定向的石墨烯晶畴(OGDs),最终完美拼合成没有晶界的单晶。这比从一个成核点生长单晶的效率高。以往的工作仅限于在Cu(111)表面的生长OGDs。我们发现OGDs可以生长在除了(111)晶面外的多种高指数晶面。在实践中,高指数表面更常见,而特定的表面则需要专门处理。这一发现使石墨烯单晶的制备更加容易。石墨烯制备的另一个挑战是层数和堆垛顺序控制。尽管由于极低的碳的溶解度使得在铜基底上较容易制备大面积的单层石墨烯,但一般情况下都会有一些附加层。通过对基底进行处理或调整CVD工艺可以有效地抑制附加层的生长,但同时也增加了成本。我们将附加层的生长分为两个阶段。第一阶段是在Cu表面被顶层完全覆盖之前,第二阶段是在其之后。通过调整气体参数可以抑制第一阶段的附加层生长。第二阶段则可能是由于铜箔两侧的非对称生长造成的。在常规的CVD过程中,通常将基底直接放到石英板或石英管壁上,这时铜箔两侧的前驱体浓度不均,从而会导致非对称生长。这在之前的工作中但往往被忽略。我们使用未经处理的铜箔和正常的CVD工艺,而只是将铜箔放在悬空的支架上,使其两侧前驱体浓度相等,避免了非对称生长,从而实现高达几十平方厘米的AF-MLG的制备。这不仅对大面积AF-MLG薄膜的工业化生产具有重要意义,而且对均匀少层石墨烯的合成具有指导意义。

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主讲申请:鲁旻阳(18657108128)

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