石墨烯与其他二维层状材料例如氮化硼、硒化钨一起为设计新型电子器件提供了机会 [1]。在这里，我们向大家介绍基于二维范德华异质结的全二维热电子晶体管[2]。在该器件中，少于3层的薄层石墨烯被用作基极，宽禁带的氮化硼与窄禁带的硒化钨分别被用作发射极-基极和基极-集电极势垒。基极的薄层石墨烯可以减少载流子的散射，有利于沟道中载流子的弹道输运，对实现高收集效率和高速应用起到关键作用[3-5]。二维材料中禁带宽度的多样性使得器件制备过程中可以选择不同的禁带宽度材料来实现对载流子输运的操控。我们定量地分析出载流子通过二维势垒材料的输运机制随着温度升高由FN隧穿变为热发射机制。通过优化工艺以获得干净和突变的界面，并且优化势垒的高度和厚度，我们观察到了接近于一的收集效率和明显的饱和现象，以及233 A/cm2的输出电流密度。这些结果突出了二维材料以及它们之间的范德华异质结在未来电子器件应用中的优势。

参考文献

[1] Geim, A. K. and I. V. Grigorieva, Van der Waals heterostructures. Nature, vol. 499, no. 7459, 2013.

[2] Guo, H., et al., All-Two-Dimensional-Material Hot Electron Transistor. IEEE Electron Device Letters, vol. 39, no. 4, 2018.

[3] Vaziri, S., et al., A Graphene-Based Hot Electron Transistor. Nano letters, vol. 13, no. 4, 2013.

[4] Zeng, C., et al., Vertical Graphene-Base Hot-Electron Transistor. Nano letters, vol. 13, no. 6, 2013.

[5] Zubair, A., et al., Hot Electron Transistor with van der Waals Base-Collector Heterojunction and High-Performance GaN Emitter. Nano letters, vol. 17, no. 5, 2017.

　　石墨烯与其他二维层状材料例如氮化硼、硒化钨一起为设计新型电子器件提供了机会 [1]。在这里，我们向大家介绍基于二维范德华异质结的全二维热电子晶体管[2]。在该器件中，少于3层的薄层石墨烯被用作基极，宽禁带的氮化硼与窄禁带的硒化钨分别被用作发射极-基极和基极-集电极势垒。基极的薄层石墨烯可以减少载流子的散射，有利于沟道中载流子的弹道输运，对实现高收集效率和高速应用起到关键作用[3-5]。二维材料中禁带宽度的多样性使得器件制备过程中可以选择不同的禁带宽度材料来实现对载流子输运的操控。我们定量地分析出载流子通过二维势垒材料的输运机制随着温度升高由FN隧穿变为热发射机制。通过优化工艺以获得干净和突变的界面，并且优化势垒的高度和厚度，我们观察到了接近于一的收集效率和明显的饱和现象，以及233 A/cm2的输出电流密度。这些结果突出了二维材料以及它们之间的范德华异质结在未来电子器件应用中的优势。

参考文献

[1] Geim, A. K. and I. V. Grigorieva, Van der Waals heterostructures. Nature, vol. 499, no. 7459, 2013.

[2] Guo, H., et al., All-Two-Dimensional-Material Hot Electron Transistor. IEEE Electron Device Letters, vol. 39, no. 4, 2018.

[3] Vaziri, S., et al., A Graphene-Based Hot Electron Transistor. Nano letters, vol. 13, no. 4, 2013.

[4] Zeng, C., et al., Vertical Graphene-Base Hot-Electron Transistor. Nano letters, vol. 13, no. 6, 2013.

[5] Zubair, A., et al., Hot Electron Transistor with van der Waals Base-Collector Heterojunction and High-Performance GaN Emitter. Nano letters, vol. 17, no. 5, 2017.