在过去的十年中，为了加快实现化学气相沉积石墨烯的产品化，人们探索了很多不同的生产路线。例如，多种生长工艺已经被验证能够得到高质量的毫米到厘米尺寸的单晶石墨烯晶格，包括在低于500 毫托的低压化学气相沉积（保持氢气和甲烷的比例在4-2000 间）和常压化学气相沉积（保持甲烷的浓度在10 到500ppm，及氢气浓度在2%到25%间，用氩气作为平衡气体）。我们的CVD 石墨烯工艺增强和反应器专利设计与大多数的工艺匹配，可以额外拓宽CVD 石墨烯的生长工艺窗口。
尽管经过了大量的研究，仍然还没有找到特别优异的CVD 石墨烯工艺。因此随着新的工艺知识的发现，对研发设备的要求也持续的在更新。结果很多低成本，单用途的生长设备在短时期内就过时或被废弃了。
对与快速更新的CVD 工艺俱进的需求意味着需要一个能够运行大范围的石墨烯工艺的多用途平台。我们将讨论实现多功能性的一条路径，包含生长其它纳米材料如碳纳米管的选项。我们还会额外讨论这同一个设备平台怎么能兼容生长单片的研发样品和多片样品，以及不用卷轴到卷轴设备来在铜箔卷上生长石墨烯。
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