何军毕业于中国科学院半导体研究所（2003），获工学博士学位，导师王占国院士。同年8月赴荷兰艾茵霍温科技大学（Tu/e）应用物理系做博士后。 2005年8月-2007年8月, 赴美国加州大学Santa Babara (UCSB)材料系做博士后。2007年8月-2010年11月美国加州大学Los Angeles (UCLA)进行研究工作。2010年11月进入国家纳米科学中心，被聘为“百人计划”研究员，博士生导师。迄今已公开发表学术论文80余篇，申请专利5个。
当半导体材料尺寸达到纳米级别时，材料会表现出很多不同于宏观材料的独特性能，例如超高特异性表面，量子限域效应和强的光-物质相互作用。在低维结构中，二维半导体由于其与传统的微制造技术的兼容性及其在柔性衬底上应用，在电子和光电子器件应用中展示出重要的科学研究价值。目前，层状和非层状材料都被证明存在二维结构。尽管近年来二维层状材料研究已经取得突破性进展，但仍需要更系统和深入的研究，尤其是在过渡金属硫化物（TMDCs）体系的研究上。值得注意的是，由于二维层状材料的成功，许多具有显著性能的非层状材料在二维结构上的合成和应用也吸引了越来越多的关注。
此外，随着拓扑绝缘体材料在高速逻辑器件中的应用发展，拓扑晶体（TCIS）在近些年的研究中也已经吸引了很多学者的注意。而且低维拓扑晶体的表面运输性能可显著增强。然而由于其固有的各向同性晶体结构，合成拓扑晶体低维结构面临很多技术难题。面对上述研究问题中的挑战，我们的研究主要集中在低维金属硫族半导体材料的设计、可控合成与器件应用上。在这次报告中，我将介绍我们课题组在以下2个方面的最新进展：
（1） 二维层状/非层状硫族半导体材料：可控生长、物性研究及电子/光电子器件应用。[1-7]
（2） 低维拓扑绝缘体材料：合成过程动力学研究、表面电子输运及电子器件应用研究。[8-12]
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