演讲嘉宾-刘悦

刘悦
拓扑元电子(苏州)科技有限公司总经理
  刘悦,西交利物浦大学物联网学院副教授,南开大学材料本科、博士,美国新泽西州立大学联合培养博士,意大利帕多瓦大学博士后。入选辽宁省“百千万人才工程”,荣获吴江区创业领军人才、吴江经济技术开发区崇本人才等多项荣誉。刘悦长期致力于前沿功能材料的研究,尤其在铁电材料、光电薄膜(包括铌酸锂薄膜)及纳米材料制备领域拥有深厚的学术积累和丰富的科研经验。近年来,其研究重点拓展至钙钛矿/石墨烯复合薄膜的高效光电流特性研究,旨在开发新一代高性能光电器件。主持包括辽宁省教育厅项目在内的多项省部级课题,在离子切片制备、离子束刻蚀、薄膜微结构处理及高精度光电测试等核心技术方面取得了显著进展。
  迄今,已发表SCI学术论文20余篇,获授权发明专利5项,并获得辽宁林业科学技术奖一等奖等多项省厅级科技奖励。同时,担任《Frontiers in Chemistry》《European Physical Journal Special Topics》期刊客座副主编及多家国际SCI期刊特邀审稿人。其目前主持的在研项目《钙钛矿/石墨烯薄膜高效玻璃薄膜铁电光电流研究》与本次大会主题高度契合,期待在大会上与各界专家学者深入交流,共同探讨石墨烯材料在光电领域的创新应用与未来发展。
主要研究方向:
•   铁电光电材料与器件(铌酸锂薄膜、钙钛矿材料)
•   石墨烯复合薄膜制备与光电器件应用
•   纳米材料模拟计算与性能调控
•   高性能光电调制器与探测器技术
演讲题目:铌酸锂薄膜的光电性能在光子芯片辐射影响
主题会场
开始时间
结束时间
内容摘要

  薄膜铌酸锂作为新一代集成光子平台的核心材料,因其卓越的电光系数、低光学损耗和宽透明窗口等优异光电性能,在高速度光通信、微波光子学及量子信息处理等领域展现出巨大潜力。然而,在空间应用、高能物理实验或核工业等辐射环境中,光子芯片的可靠性面临严峻挑战。因此,深入研究电离辐射(如γ射线、质子、中子)对薄膜铌酸锂光电性能的影响,对于评估其在辐射环境下的适用性至关重要。研究表明,辐射会通过引入晶格缺陷的方式影响铌酸锂薄膜的光电性能, 辐射诱导产生的色心(如氧空位相关缺陷)会成为光散射中心和吸收中心,导致波导的传输损耗显著增加,尤其是在通信波段(如1550 nm)。  晶格损伤和缺陷的形成会改变材料的折射率,这会影响波导的模态特性和谐振腔的谐振频率,导致器件性能漂移。 辐射产生的载流子陷阱会部分屏蔽或抵消外加电场,从而降低有效电光系数。 铌酸锂固有的光伏效应在辐射下可能被增强或改变,导致不必要的空间电荷场积累,引起性能不稳定。 但其耐受性显著优于硅等传统半导体材料。新兴的薄膜铌酸锂平台,由于其单晶质量和低缺陷密度,理论上表现出比体材料更好的辐射耐受性。薄膜铌酸锂光子芯片有望在未来的空间和核环境应用中发挥关键作用。 

关于主办方

联系我们
400-110-3655   

E-mail: meeting@c-gia.cn   meeting01@c-gia.cn

参展电话:13646399362(苏老师)

主讲申请:19991951101(王老师)

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  刘悦,西交利物浦大学物联网学院副教授,南开大学材料本科、博士,美国新泽西州立大学联合培养博士,意大利帕多瓦大学博士后。入选辽宁省“百千万人才工程”,荣获吴江区创业领军人才、吴江经济技术开发区崇本人才等多项荣誉。刘悦长期致力于前沿功能材料的研究,尤其在铁电材料、光电薄膜(包括铌酸锂薄膜)及纳米材料制备领域拥有深厚的学术积累和丰富的科研经验。近年来,其研究重点拓展至钙钛矿/石墨烯复合薄膜的高效光电流特性研究,旨在开发新一代高性能光电器件。主持包括辽宁省教育厅项目在内的多项省部级课题,在离子切片制备、离子束刻蚀、薄膜微结构处理及高精度光电测试等核心技术方面取得了显著进展。
  迄今,已发表SCI学术论文20余篇,获授权发明专利5项,并获得辽宁林业科学技术奖一等奖等多项省厅级科技奖励。同时,担任《Frontiers in Chemistry》《European Physical Journal Special Topics》期刊客座副主编及多家国际SCI期刊特邀审稿人。其目前主持的在研项目《钙钛矿/石墨烯薄膜高效玻璃薄膜铁电光电流研究》与本次大会主题高度契合,期待在大会上与各界专家学者深入交流,共同探讨石墨烯材料在光电领域的创新应用与未来发展。
主要研究方向:
•   铁电光电材料与器件(铌酸锂薄膜、钙钛矿材料)
•   石墨烯复合薄膜制备与光电器件应用
•   纳米材料模拟计算与性能调控
•   高性能光电调制器与探测器技术
演讲题目:铌酸锂薄膜的光电性能在光子芯片辐射影响
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  薄膜铌酸锂作为新一代集成光子平台的核心材料,因其卓越的电光系数、低光学损耗和宽透明窗口等优异光电性能,在高速度光通信、微波光子学及量子信息处理等领域展现出巨大潜力。然而,在空间应用、高能物理实验或核工业等辐射环境中,光子芯片的可靠性面临严峻挑战。因此,深入研究电离辐射(如γ射线、质子、中子)对薄膜铌酸锂光电性能的影响,对于评估其在辐射环境下的适用性至关重要。研究表明,辐射会通过引入晶格缺陷的方式影响铌酸锂薄膜的光电性能, 辐射诱导产生的色心(如氧空位相关缺陷)会成为光散射中心和吸收中心,导致波导的传输损耗显著增加,尤其是在通信波段(如1550 nm)。  晶格损伤和缺陷的形成会改变材料的折射率,这会影响波导的模态特性和谐振腔的谐振频率,导致器件性能漂移。 辐射产生的载流子陷阱会部分屏蔽或抵消外加电场,从而降低有效电光系数。 铌酸锂固有的光伏效应在辐射下可能被增强或改变,导致不必要的空间电荷场积累,引起性能不稳定。 但其耐受性显著优于硅等传统半导体材料。新兴的薄膜铌酸锂平台,由于其单晶质量和低缺陷密度,理论上表现出比体材料更好的辐射耐受性。薄膜铌酸锂光子芯片有望在未来的空间和核环境应用中发挥关键作用。 

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