伴随着人工智能、5G、新能源等技术的飞速发展，电子元器件的散热难题日益凸显，已成为制约技术进步的关键瓶颈。在此背景下，开发高性能热界面材料、实现高效界面散热至关重要。本研究通过对石墨烯微观结构进行调控，搭建贯穿垂直方向的导热通路和柔性外层，与高分子基体复合后成功制备石墨烯热界面材料，兼具高本体热导率（60~80 W m-1 K-1）、低接触热阻（0.06~0.08 K cm2 W-1）和低压缩模量。结果表明，200~500 μm石墨烯热界面材料在50 psi封装压力下的等效热导率达到12~30 W m-1 K-1，相应热阻抗为0.10~0.15 K cm2 W-1，压缩率为25~43 %。相比于常规热界面材料（等效热导率3~12 W m-1 K-1，热阻抗0.3~1 K cm2 W-1），其导热性能具有显著优势。所得石墨烯基热界面材料兼具高导热、高柔性、高稳定性，是对常规热界面材料的全面迭代升级，对当下推动前沿技术和产业发展具有重大意义。

　　伴随着人工智能、5G、新能源等技术的飞速发展，电子元器件的散热难题日益凸显，已成为制约技术进步的关键瓶颈。在此背景下，开发高性能热界面材料、实现高效界面散热至关重要。本研究通过对石墨烯微观结构进行调控，搭建贯穿垂直方向的导热通路和柔性外层，与高分子基体复合后成功制备石墨烯热界面材料，兼具高本体热导率（60~80 W m-1 K-1）、低接触热阻（0.06~0.08 K cm2 W-1）和低压缩模量。结果表明，200~500 μm石墨烯热界面材料在50 psi封装压力下的等效热导率达到12~30 W m-1 K-1，相应热阻抗为0.10~0.15 K cm2 W-1，压缩率为25~43 %。相比于常规热界面材料（等效热导率3~12 W m-1 K-1，热阻抗0.3~1 K cm2 W-1），其导热性能具有显著优势。所得石墨烯基热界面材料兼具高导热、高柔性、高稳定性，是对常规热界面材料的全面迭代升级，对当下推动前沿技术和产业发展具有重大意义。