Yury Illarionov南方科技大学材料科学与工程系副教授，二维光电子与纳电子实验室（L2DON）主任
Yury Illarionov于2011年获得俄罗斯彼得大帝圣彼得堡理工大学的硕士学位，随后在2012年通过Erasmus Mundus FAME硕士项目获得法国格勒诺布尔国家工艺大学和德国奥古斯堡大学的第二个硕士学位。2015年，他分别获得俄罗斯Ioffe研究所和奥地利维也纳工业大学的博士学位。在2016年至2022年期间，他在奥地利维也纳工业大学微电子研究所担任博士后研究员。目前，Yury Illarionov担任中国深圳南方科技大学材料科学与工程系的副教授，并担任二维光电子与纳电子实验室（L2DON）的主任。
他已经共同署名发表超过80篇学术论文，涵盖《自然电子学》、《自然通讯》、《先进材料》、《ACS纳米》等顶尖期刊。2020年，他获得IEEE高级会员称号，并作为俄罗斯官方代表参加了金砖国家青年科学家论坛。在2024年，他被列入2023年Elsevier/斯坦福大学排名的全球前2%科学家名单。Yury Illarionov教授的研究兴趣集中在基于二维材料的场效应晶体管（FET）和光电探测器，特别是这些器件的新绝缘体及其可靠性。
演讲题目：将二维电子学整合到先进制造领域的主要挑战：热预算、氧化物、可靠性
内容摘要
近年来，二维半导体场效应晶体管（FET）的制造研究进展激励了行业开始将这些新技术整合到制造工艺中，使其在先进制造领域具有潜力。例如，英特尔已经在CMOS兼容温度下实现了300mm的制造工艺，适用于MoS2、WS2、WSe2和MoSe2，并且最近报告了MoS2 n型FET与WSe2 p型FET的互补集成。Imec也展示了其300mm制造线生产的功能性MoS2和WS2 FET。然而，将新二维技术从研究实验室转向制造工艺线仍面临诸多挑战，例如需要在450°C以下满足CMOS的热预算，通过在二维通道上生长三维氧化物实现顶栅集成，以及由于电荷捕获在通道/氧化物或顶栅/氧化物界面附近造成的可靠性限制。
在本次演讲中，我将总结行业在将二维FET整合到制造工艺线中的最新进展，讨论过程中遇到的主要挑战，并基于我们最近的实验结果对首批制造的二维FET的可靠性限制进行评估。同时，我还将涉及二维光电探测器相关的问题，尽管在原型级别取得了巨大进展，但在向先进制造应用的过程中仍然落后于FET。
官方微信订阅号
京公网安备 11010802023402号